| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ | ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ |
| Диаметр оболочки: | 4.2 мм | Ёмкость жила/жила на 1 м: | 100 пФ | |
| Материал оболочки: | PVC | Ёмкость жила/экран на 1 м: | 160 пФ | |
| Внутренняя жила: | 2 х 0,50 мм²(AWG21) | Сопротивление жилы на 1км: | 39 Ом | |
| Количество проводников в жиле: | 7 х 0,30 мм | Сопротивление экрана на 1км: | 75 Ом | |
| Изоляция жилы: | PE 1.50 мм | Сопротивление изоляции на 1км: | 200 МОм | |
| Экранирование: | фольгированный экран | |||
| Плотность экрана: | 100 % | |||
| Диапазон температур: | -25°С — +70°С | |||
| Пожарная нагрузка на метр: | 0.07 кВт.ч | |||
| Вес (1 м): | 58 г |
ISOPOD SO-F50 - это двужильный защищенный фольгированным экраном кабель. Кабель предназначен для внутрирэковых соединений профессионального и HiFi оборудования. ISOPOD SO-F50 патч-кабель обладает эффектом памяти, и может без проблем быть проложен по углам, принимая их форму, что обеспечивает порядок и компактность. Кабель имеет фольгированный экран. Патч-кабель ISOPOD SO-F50 обладает большим поперечным сечением (2х0.50мм), что наиболее подходит для работы с обжимными контактами. 100% наждежное экранирование.
|
Патч-кабель ISOPOD SO-F22 Симметричный патч-кабель. Предназначен для внутрирэковых соединений. Быстро зачищается и прост в монтаже. |
|
|
Патч-кабель ISOPOD SO-F22 AES EBU Симметричный патч-кабель. Кабель имеет волновое сопротивление 110 Ом. Предназначен для внутрирэковых соединений. Быстро зачищается и прост в монтаже. |
|
|
Патч-кабель ISOPOD SO-F50 Симметричный патч-кабель. Предназначен для внутрирэковых соединений. Быстро зачищается и прост в монтаже. Кабель обладает большим поперечным сечением (2х0.50 mm²), подходит для работы с обжимными контактами. |
|
|
Патч-кабель ISOPOD SO-F22 FRNC ПРОТИВОПОЖАРНЫЙ Симметричный патч-кабель. Предназначен для внутрирэковых соединений. Не содержится галогенов. Трудновоспломеняем. |
|
|
Патч-кабель CICADA Симметричный патч-кабель. Очень тонкий и гибкий. Прочный на разрыв. Применяется для внутренних соединениях в рэках, микшерах и пр.аудиоустройствах. |